光刻制程

接触式光刻

最小分辨率约2微米，精度0.5微米，支持背面对准工艺

投影式光刻

最小分辨率约700nm

薄膜沉积

金属

Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb等20余种金属及合金薄膜

介质层

PECVD：SiO2、SiNx

LPCVD ：SiO2、SiNx

Ald ：Al2O3、SiO2

光学镀膜 ：SiO2、MgF2、OS50、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3

蚀刻​ 

金属

干法与湿法蚀刻

介质层

RIE、ICP、Deep Si etching、HF vapor Etching、Wet etching等多种工艺